سرقت فناوری سامسونگ برای ساخت کارخانه مشابه در چین؛ ۲ مقام سابق شرکت بازداشت شدند

به گزارش روز چهارشنبه ایرنا از خبرگزاری یونهاپ، آژانس پلیس متروپولیتن سئول (SMPA) اعلام کرد: آقای «چوی» رئیس شرکت چنگدو گائوجن (CHJS) چین به همراه آقای «او» طراح این شرکت که سابقه فعالیت در شرکت سامسونگ داشته‌اند به اتهام نشت و سوء استفاده از فناوری‌های اصلی حافظه نیمه‌هادی این شرکت، به دادستانی کره‌جنوبی فرستاده شدند.

آژانس پلیس متروپولیتن سئول ارزش اقتصادی فناوری‌های نشت شده سامسونگ را چهار تریلیون و ۳۰۰ میلیون وون (معادل سه میلیارد و ۲۰۰ میلیون دلار آمریکا) برآورد کرده است.

حافظه‌های دستیابی مستقیم پویا، نوعی حافظه موقت در رایانه‌ها و دستگاه‌های الکترونیکی هستند که برای ذخیره‌سازی داده‌ها استفاده می‌شوند.

این نهاد تصریح کرد: ما درحال بررسی انتقال فناوری‌های دیگر از سوی کارمندان سابق سامسونگ به شرکت چنگدو گائوجن چین هستیم.


منبع: https://www.irna.ir/news/85593384/%D8%B3%D8%B1%D9%82%D8%AA-%D9%81%D9%86%D8%A7%D9%88%D8%B1%DB%8C-%D8%B3%D8%A7%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86%DA%AF-%D8%A8%D8%B1%D8%A7%DB%8C-%D8%B3%D8%A7%D8%AE%D8%AA-%DA%A9%D8%A7%D8%B1%D8%AE%D8%A7%D9%86%D9%87-%D9%85%D8%B4%D8%A7%D8%A8%D9%87-%D8%AF%D8%B1-%DA%86%DB%8C%D9%86-%DB%B2-%D9%85%D9%82%D8%A7%D9%85-%D8%B3%D8%A7%D8%A8%D9%82

این نهاد افزود: چوی به طور غیرقانونی فناوری‌های اصلی توسعه‌یافته سامسونگ برای تولید حافظه دستیابی مستقیم پویا (DRAM) هوش مصنوعی با فناوری ۲۰ نانومتری را دزدیده است.

توسط رابرت کیوساکی

رابرت کیوساکی